FGH40T100SMD - ON Semiconductor
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-FGH40T100SMD
Hersteller Teil #: FGH40T100SMD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
FGH40T100SMD Datenblatt
FGH40T100SMD Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Factory Lead Time
4 Weeks
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Number of Pins
3
Weight
6.39g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3V
Number of Elements
1
Test Conditions
600V, 40A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Packaging
Tube
Published
2012
JESD-609 Code
e3
Pbfree Code
yes
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
HTS Code
8541.29.00.95
Max Power Dissipation
333W
Rise Time-Max
64ns
Element Configuration
Single
Power Dissipation
333W
Case Connection
COLLECTOR
Input Type
Standard
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
1kV
Max Collector Current
80A
Reverse Recovery Time
78 ns
JEDEC-95 Code
TO-247AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000V
Turn On Time
76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Turn Off Time-Nom (toff)
305 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
265nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
Td (on/off) @ 25°C
29ns/285ns
Switching Energy
2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
6.5V
Height
20.82mm
Length
15.87mm
Width
4.82mm
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FGH40T100SMD Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| FGH40T100SMD | TO-247-3 | IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | |
| FGH40T120SMD | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail | |
| NGTB40N120FL2WG | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII | |
| STGW30NC120HD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | |
| IHW40N120R3FKSA1 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 |
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What type of applications are these LGC devices ideally suited for?
high voltage switched mode power supply applications
What LGC device has been specially designed for:/p>p>h2>strong>?
SMPS II
...............
35nC
...............
UIS Rated
...............
260mJ
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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Datenblatt
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